BND-5000測(cè)試儀指標(biāo)
技術(shù)指標(biāo)
主極參數(shù)
控制極參數(shù)
指標(biāo)
標(biāo)配
②主極電壓:
1mV-2000V
①控制極電壓:
100mV-20V
②電壓分辨率:
1mV
③主極電流:
0.1nA-100A
③控制極電流:
100nA-10A
④電流分辨率:
0.1nA
⑤測(cè)試精度:
0.2%+2LSB
⑥測(cè)試速度:
0.5mS/參數(shù)
1.3 BND-5000測(cè)試系統(tǒng)是一套高速多用途半導(dǎo)體分立器件智能測(cè)試系統(tǒng),它具有十分豐富的編程軟件和強(qiáng)大的測(cè)試能力,可真實(shí)準(zhǔn)確測(cè)試下列各種大、中、小功率的半導(dǎo)體分立器件。
測(cè)試范圍 / 測(cè)試參數(shù)
序號(hào)
測(cè)試器件
測(cè)試參數(shù)
01
絕緣柵雙極大功率晶體管
IGBT
ICES;IGESF;IGESR;BVCES;VGETH;VCESAT;ICON;
VGEON;VF;GFS
02
MOS場(chǎng)效應(yīng)管
MOS-FET
IDSS;IDSV;IGSSF; IGSSR;VGSF;VGSR;BVDSS;
VGSTH;VDSON、VF(VSD) IDON;VGSON;RDSON;GFS
03
J型場(chǎng)效應(yīng)管
J-FET
IGSS;IDOFF;IDGO;BVDGO;BVGSS;VDSON,VGSON;
IDSS;GFS;VGSOFF
04
二極管
DIODE
IR;BVR ;VF
05
晶體管
(NPN型/PNP型)
ICBO;ICEO;ICER; ICES; ICEV;IEBO;BVCEO ;BVCBO;
BVEBO;HFE;VCESAT;VBESAT;VBE(VBEON);RE;VF
06
雙向可控硅
TRIAC
VD+;VD-;VT+ ; VT-;IGT;VGT ;IL+;IL-;IH+;IH-
07
可控硅
SCR
IDRM;IRRM;IGKO;VDRM;VRRM;BVGKO;VTM;
IGT;VGT;IL;IH
08
硅觸發(fā)可控硅
STS
IH+; IH-;VSW+ ; VSW-;VPK+ ;
VPK-;VGSW+;VGSW-
09
達(dá)林頓陣列
DARLINTON
ICBO; ICEO;ICER;ICES;ICEX;IEBO;BVCEO;
BVCER;BVCEE;BVCES ;BVCBO;BVEBO;hFE ;
VCESAT; VBESAT;VBEON
10
光電耦合
OPTO-COUPLER
ICOFF、ICBO;IR;BVCEO;BVECO;BVCBO;BVEBO;
CTR;HFE;VCESAT; VSAT;VF(Opto-Diode)
11
繼電器
RELAY
RCOIL;VOPER;VREL;RCONT;OPTIME; RELTIME
12
穩(wěn)壓、齊納二極管
ZENER
IR;BVZ;VF;ZZ
13
三端穩(wěn)壓器
REGULATOR
Vout;Iin;
14
光電開(kāi)關(guān)
OPTO-SWITCH
ICOFF;VD;IGT;VON;ION ;IOFF
15
光電邏輯
OPTO-LOGIC
IR;VF;VOH;VOL;IFON; IFOFF
16
金屬氧化物壓變電阻
MOV
ID+ ID-;VN+; VN-;VC+ ;VCLMP-;VVLMP+ ;
17
固態(tài)過(guò)壓保護(hù)器
SSOVP
ID+ ID-;VCLAMP+, VCLAMP-;VT+、VT-;IH+、
IH-;;IBO+ IBO-;VBO+ VBO-;VZ+ VZ-
18
壓變電阻
VARISTOR
ID+; ID-;VC+ ;VC-
19
雙向觸發(fā)二極管
DIAC
VF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-,
1.4系統(tǒng)曲線測(cè)試列舉 ID vs. VDS at range of VGS
ID vs. VGS at fixed VDS IS vs. VSD
RDS vs. VGS at fixed ID RDS vs. ID at several VGS
IDSS vs. VDS HFE vs. IC
BVCE(O,S,R,V) vs. IC BVEBO vs. IE
BVCBO vs. IC VCE(SAT) vs. IC
VBE(SAT) vs. IC VBE(ON) vs. IC (use VBE test)
VCE(SAT) vs. IB at a range of ICVF vs. IF
1.5系統(tǒng)軟件支持
器件測(cè)試程序的生成是通過(guò)在一臺(tái)運(yùn)行系統(tǒng)為Windows或WindowsNT的PC機(jī)上接口程序?qū)崿F(xiàn)的。該程序提供快速的器件測(cè)試程序生成,具有全屏顯示和增強(qiáng)型編輯幫助。
一種填空式編程方法向用戶提供簡(jiǎn)明、直觀的使用環(huán)境。操作人員只需在提示下,輸入所選器件系列名稱和測(cè)試類型,并選擇所需測(cè)試的參數(shù),而不必具有計(jì)算機(jī)編程語(yǔ)言知識(shí)。完成一個(gè)器件的測(cè)試程序編制只需幾分鐘的時(shí)間,非常快捷方便。
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BND-5000測(cè)試儀指標(biāo)
技術(shù)指標(biāo)
主極參數(shù)
控制極參數(shù)
指標(biāo)
標(biāo)配
指標(biāo)
標(biāo)配
②主極電壓:
1mV-2000V
①控制極電壓:
100mV-20V
②電壓分辨率:
1mV
②電壓分辨率:
1mV
③主極電流:
0.1nA-100A
③控制極電流:
100nA-10A
④電流分辨率:
0.1nA
⑤測(cè)試精度:
0.2%+2LSB
⑥測(cè)試速度:
0.5mS/參數(shù)
1.3 BND-5000測(cè)試系統(tǒng)是一套高速多用途半導(dǎo)體分立器件智能測(cè)試系統(tǒng),它具有十分豐富的編程軟件和強(qiáng)大的測(cè)試能力,可真實(shí)準(zhǔn)確測(cè)試下列各種大、中、小功率的半導(dǎo)體分立器件。
測(cè)試范圍 / 測(cè)試參數(shù)
序號(hào)
測(cè)試器件
測(cè)試參數(shù)
01
絕緣柵雙極大功率晶體管
IGBT
ICES;IGESF;IGESR;BVCES;VGETH;VCESAT;ICON;
VGEON;VF;GFS
02
MOS場(chǎng)效應(yīng)管
MOS-FET
IDSS;IDSV;IGSSF; IGSSR;VGSF;VGSR;BVDSS;
VGSTH;VDSON、VF(VSD) IDON;VGSON;RDSON;GFS
03
J型場(chǎng)效應(yīng)管
J-FET
IGSS;IDOFF;IDGO;BVDGO;BVGSS;VDSON,VGSON;
IDSS;GFS;VGSOFF
04
二極管
DIODE
IR;BVR ;VF
05
晶體管
(NPN型/PNP型)
ICBO;ICEO;ICER; ICES; ICEV;IEBO;BVCEO ;BVCBO;
BVEBO;HFE;VCESAT;VBESAT;VBE(VBEON);RE;VF
06
雙向可控硅
TRIAC
VD+;VD-;VT+ ; VT-;IGT;VGT ;IL+;IL-;IH+;IH-
07
可控硅
SCR
IDRM;IRRM;IGKO;VDRM;VRRM;BVGKO;VTM;
IGT;VGT;IL;IH
08
硅觸發(fā)可控硅
STS
IH+; IH-;VSW+ ; VSW-;VPK+ ;
VPK-;VGSW+;VGSW-
09
達(dá)林頓陣列
DARLINTON
ICBO; ICEO;ICER;ICES;ICEX;IEBO;BVCEO;
BVCER;BVCEE;BVCES ;BVCBO;BVEBO;hFE ;
VCESAT; VBESAT;VBEON
10
光電耦合
OPTO-COUPLER
ICOFF、ICBO;IR;BVCEO;BVECO;BVCBO;BVEBO;
CTR;HFE;VCESAT; VSAT;VF(Opto-Diode)
11
繼電器
RELAY
RCOIL;VOPER;VREL;RCONT;OPTIME; RELTIME
12
穩(wěn)壓、齊納二極管
ZENER
IR;BVZ;VF;ZZ
13
三端穩(wěn)壓器
REGULATOR
Vout;Iin;
14
光電開(kāi)關(guān)
OPTO-SWITCH
ICOFF;VD;IGT;VON;ION ;IOFF
15
光電邏輯
OPTO-LOGIC
IR;VF;VOH;VOL;IFON; IFOFF
16
金屬氧化物壓變電阻
MOV
ID+ ID-;VN+; VN-;VC+ ;VCLMP-;VVLMP+ ;
17
固態(tài)過(guò)壓保護(hù)器
SSOVP
ID+ ID-;VCLAMP+, VCLAMP-;VT+、VT-;IH+、
IH-;;IBO+ IBO-;VBO+ VBO-;VZ+ VZ-
18
壓變電阻
VARISTOR
ID+; ID-;VC+ ;VC-
19
雙向觸發(fā)二極管
DIAC
VF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-,
1.4系統(tǒng)曲線測(cè)試列舉
ID vs. VDS at range of VGS
ID vs. VGS at fixed VDS
IS vs. VSD
RDS vs. VGS at fixed ID
RDS vs. ID at several VGS
IDSS vs. VDS
HFE vs. IC
BVCE(O,S,R,V) vs. IC
BVEBO vs. IE
BVCBO vs. IC
VCE(SAT) vs. IC
VBE(SAT) vs. IC
VBE(ON) vs. IC (use VBE test)
VCE(SAT) vs. IB at a range of ICVF vs. IF
1.5系統(tǒng)軟件支持
器件測(cè)試程序的生成是通過(guò)在一臺(tái)運(yùn)行系統(tǒng)為Windows或WindowsNT的PC機(jī)上接口程序?qū)崿F(xiàn)的。該程序提供快速的器件測(cè)試程序生成,具有全屏顯示和增強(qiáng)型編輯幫助。
一種填空式編程方法向用戶提供簡(jiǎn)明、直觀的使用環(huán)境。操作人員只需在提示下,輸入所選器件系列名稱和測(cè)試類型,并選擇所需測(cè)試的參數(shù),而不必具有計(jì)算機(jī)編程語(yǔ)言知識(shí)。完成一個(gè)器件的測(cè)試程序編制只需幾分鐘的時(shí)間,非常快捷方便。