wat半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀器

價(jià)格
¥1,000.00

型號(hào)
SPA6100

品牌
武漢普賽斯儀表有限公司

所在地
暫無(wú)

更新時(shí)間
2024-10-09 13:15:40

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    wat半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀器概述:

    SPA-6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是武漢普賽斯研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng),具有高精度、寬測(cè)量范圍、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。產(chǎn)品可以同時(shí)支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測(cè)試,旨在幫助加快前沿材料研究、半導(dǎo)體芯片器件設(shè)計(jì)以及*工藝的開(kāi)發(fā),具有桌越的測(cè)量效率與可靠性。

    基于模塊化的體系結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),SPA-6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀可以幫助用戶根據(jù)測(cè)試需要,靈活選配測(cè)量單元進(jìn)行升級(jí)。產(chǎn)品支持Z高1200V電壓、100A大電流、1pA小電流分辨率的測(cè)量,同時(shí)檢測(cè)10kHz至1MHz范圍內(nèi)的多頻AC電容測(cè)量。SPA-6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀搭載普賽斯開(kāi)發(fā)的半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試軟件,支持交互式手動(dòng)操作或結(jié)合探針臺(tái)的自動(dòng)操作,能夠從測(cè)量設(shè)置、執(zhí)行、結(jié)果分析到數(shù)據(jù)管理的整個(gè)過(guò)程,實(shí)現(xiàn)高效和可重復(fù)的器件表征;也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用,滿足高低溫測(cè)試需求。詳詢(xún);

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    產(chǎn)品特點(diǎn):

    30μV-1200V;1pA-100A寬量程測(cè)試能力;

    測(cè)量精度高,全量程下可達(dá)0.03%精度;

    內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)器件測(cè)試程序,直接調(diào)用測(cè)試簡(jiǎn)便;

    自動(dòng)實(shí)時(shí)參數(shù)提取,數(shù)據(jù)繪圖、分析函數(shù);

    在CV和IV測(cè)量之間快速切換而無(wú)需重新布線;
    提供靈活的夾具定制方案,兼容性強(qiáng);

    免費(fèi)提供上位機(jī)軟件及SCPI指令集;

    典型應(yīng)用:

    納米、柔性等材料特性分析;

    二極管;

    MOSFET、BJT、晶體管、IGBT;

    第三代半導(dǎo)體材料/器件;

    有機(jī)OFET器件;

    LED、OLED、光電器件;

    半導(dǎo)體電阻式等傳感器;

    EEL、VCSEL、PD、APD等激光二極管;

    電阻率系數(shù)和霍爾效應(yīng)測(cè)量;

    太陽(yáng)能電池;

    非易失性存儲(chǔ)設(shè)備;

    失效分析;


    系統(tǒng)技術(shù)規(guī)格

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    wat半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀器訂貨信息



    模塊化構(gòu)成:

    低壓直流I-V源測(cè)量單元

    -精度0.1%或0.03%可選
    -直流工作模式
    -Z大電壓300V,Z大直流1A或3A可選
    -*小電流分辨率10pA
    -四象限工作區(qū)間
    -支持二線,四線制測(cè)試模式
    -支持GUARD保護(hù)


    低壓脈沖I-V源測(cè)量單元

    -精度0.1%或0.03%可選
    -直流、脈沖工作模式
    -Z大電壓300V,Z大直流1A或3A可選,Z大脈沖電流10A或30A可選
    -*小電流分辨率1pA
    -*小脈寬200μs
    -四象限工作區(qū)間.
    -支持二線,四線制測(cè)試模式
    -支持GUARD保護(hù)


    高壓I-V源測(cè)量單元
    -精度0.1%    
    -Z大電壓1200V,Z大直流100mA

    -*小電流分辨率100pA
    -一、三象限工作區(qū)間
    -支持二線、四線制測(cè)試模式
    -支持GUARD保護(hù)


    高流I-V源測(cè)量單元

    -精度0.1%
    -直流、脈沖工作模式.
    -Z大電壓100V,Z大直流30A,Z大脈沖電流100A
    -*小電流分辨率10pA

    -*小脈寬80μs
    -四象限工作區(qū)間
    支持二線、四線制測(cè)試模式
    -支持GUARD保護(hù)


    電壓電容C-V測(cè)量單元

    -基本精度0.5%
    -測(cè)試頻率10hZ~1MHz,可選配至10MHz
    -支持高壓DC偏置,Z大偏置電壓1200V
    -多功能AC性能測(cè)試,C-V、 C-f、 C-t


    硬件指標(biāo)-IV測(cè)試

    半導(dǎo)體材料以及器件的參數(shù)表征,往往包括電特性參數(shù)測(cè)試。絕大多數(shù)半導(dǎo)體材料以及器件的參數(shù)測(cè)試,都包括電流-電壓(I-V)測(cè)量。源測(cè)量單元(SMU),具有四象限,多量程,支持
    四線測(cè)量等功能,可用于輸出與檢測(cè)高精度、微弱電信號(hào),是半導(dǎo)體|-V特性測(cè)試的重要工具之-。SPA-6100配置有多種不同規(guī)格的SMU,如低壓直流SMU,低壓脈沖SMU,大電流SMU。用戶可根據(jù)測(cè)試需求靈活配置不同規(guī)格,以及不同數(shù)量的搭配,實(shí)現(xiàn)測(cè)試測(cè)試效率與開(kāi)支的平衡。


    靈活可定制化的夾具方案

    針對(duì)市面上不同封裝類(lèi)型的半導(dǎo)體器件產(chǎn)品,普賽斯提供整套夾具解決方案。夾具具有低阻抗、安裝簡(jiǎn)單、種類(lèi)豐富等特點(diǎn),可
    用于二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、IGBT、SiC  MOS、GaN等單管,模組類(lèi)產(chǎn)品的測(cè)試;也可與探針臺(tái)連接,實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)芯片
    測(cè)試。

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    探針臺(tái)連接示意圖

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