ACS集成測(cè)試系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)基于實(shí)驗(yàn)室的自動(dòng)化操作

產(chǎn)品開(kāi)發(fā)周期和測(cè)試成本壓力不斷提高，意味著測(cè)試工程師必須用更少的投入做更多的工作。通過(guò)采用吉時(shí)利經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的儀器和測(cè)量功能，ACS綜合測(cè)試系統(tǒng)添補(bǔ)了基于交互式實(shí)驗(yàn)室的工具與高吞吐量生產(chǎn)測(cè)試工具之間的重要空白。 應(yīng)用指南 08 Aug 2016

探測(cè)集成電路觸點(diǎn)級(jí)晶體管

Model 4200-SCS半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)

使用Mode 4200-SCS半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)在高阻抗器件上執(zhí)行低頻電容-電壓測(cè)量

使用晶圓圖參數(shù)選項(xiàng)及Cascade Nucleus探頭軟件和Model 4200-SCS

使用低噪聲Model 4200-SCS進(jìn)行低電流測(cè)量

使用Model 4200-SCS半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)分析MOS電容器的C-V特點(diǎn)

使用Model 4200-CVU-PWR C-V功率分析軟件包及Model 4200-SCS半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)進(jìn)行高電壓和高電流C-V測(cè)量

適用于Model 4200-SCS：分析NVM特性，測(cè)量VLF C-V，同時(shí)進(jìn)行更多的脈沖式或快速I(mǎi)-V測(cè)量

使用Model 4200-SCS半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)進(jìn)行太陽(yáng)能/光伏電池I-V和C-V測(cè)量

使用吉時(shí)利Model 4200-SCS監(jiān)測(cè)MOSFET器件的通道熱載波(CHC)劣化

使用Model 4200-SCS和Zyvex S100納米操縱裝置進(jìn)行納米線和納米管I-V測(cè)量

使用Model 4200-SCS半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)優(yōu)化低電流測(cè)量

使用Model 4200分析柵極介電電容-電壓特性

使用4200-CVU電容-電壓?jiǎn)卧獪y(cè)量電感

改善Model 4200-SCS的測(cè)試速度和整體測(cè)試時(shí)間

使用Model 4200-SCS半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)和Series 3400脈沖/碼型發(fā)生器進(jìn)行電荷泵測(cè)量

使用Model 4200-SCS半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)執(zhí)行電荷泵測(cè)量

修改吉時(shí)利互鎖電纜236-ILC-3，用于Cascade 12000系列半自動(dòng)探頭

利用4200-SCS型參數(shù)分析儀，對(duì)碳納米管晶體管(CNT FET)進(jìn)行電氣特性分析