西安長禾半導體技術有限公司功率器件測試實驗室(簡稱長禾實驗室)位于西安市高新技術經(jīng)濟開發(fā)區(qū),是一家*從事功率半導體器件測試服務的高新技術企業(yè),是*CNAS 認可實驗室,屬于*大功率器件測試服務中心。
長禾實驗室擁有*的系統(tǒng)設備、*的技術團隊和完善的服務體系。實驗室現(xiàn)有的測試儀器設備100余臺套,*測試人員20余名。我們緊跟國際國內(nèi)標準,以客戶需求為導向,不斷創(chuàng)新服務項目和檢測技術,借助便利的服務網(wǎng)絡,為合作伙伴提供高效的技術服務。
長禾實驗室專注于功率半導體器件的動、靜態(tài)參數(shù)檢測、可靠性檢測、失效分析、溫循試驗、熱阻測試等領域的技術服務。業(yè)務范圍主要涉及國內(nèi)軌道交通、風力發(fā)電、科研單位、軍工所、工業(yè)控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽車等行業(yè)。也是第三代半導體(寬禁帶半導體)應用解決方案服務商。
長禾實驗室秉承創(chuàng)新務實的經(jīng)營理念,為客戶提供的服務、完善的解決方案及全方位的技術支持;同時注重與行業(yè)企業(yè)、高校和科研所的合作與交流,測試技術與服務水平不斷提升。
1 功率金屬氧化物場效應管 1 漏源間反向擊穿電壓 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3407.1 只測: -3.5kV~3.5kV 半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 3407 只測: -3.5kV~3.5kV 2 通態(tài)電阻 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3421.1 只測: 0~10k?,,0~1500A 3 閾值電壓 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3404 只測: -10V~10V 4 漏極反向電流 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3415.1 只測: -100mA~100mA 5 柵極漏電流 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3411.1 只測: -100mA~101mA 6 體二極管壓降 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 4011.4 只測: 0A~1500A 7 跨導 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3475.2 只測: 1ms~1000s 8 開關時間 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3472.2 只測: VD:5V~3.3kV, ID:100mA~1500A 9 半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 3472 只測: VD:5V~3.3kV, ID:100mA~1500A 10 體二極管反向恢復時間 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3473.1 只測: 10ns~2μs 11 體二極管反向恢復電荷 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3473.1 只測: 1nC~100μC 12 柵極電荷 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3471.3 只測: Qg:0.5nC~500nC 13 單脈沖雪崩能量 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3470.2 只測: L:0.01mH~159.9mH, Ias:0.1A~1500A 14 柵極串聯(lián)等效電阻 功率MOSFET柵極串聯(lián)等效電阻測試方法 JESD24-11:1996(R2002) 只測: 0.1Ω~50Ω 15 穩(wěn)態(tài)熱阻 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3161.1 只測: Ph:0.1W~250W 16 半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 3161 只測: Ph:0.1W~250W 17 輸入電容 半導體器件 分立器件 第8部分:場效應晶體管 IEC 60747-8:2010 6.3.10 只測: -3kV~3kV,0~1MHz 18 輸出電容 半導體器件 分立器件 第8部分:場效應晶體管 IEC 60747-8:2010 6.3.11 只測: -3kV~3kV,0~1MHz 19 反向傳輸電容 半導體器件 分立器件 第8部分:場效應晶體管 IEC 60747-8:2010 6.3.12 只測: -3kV~3kV,0~1MHz 20 老煉試驗 半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 1042 只測: 條件A、條件B, Vdsmax:3500V, Tjmax:200℃ 21 溫度,反偏和操作壽命試驗 JESD22-A108F:2017 只測: HTRB和HTGB試驗 22 間歇功率試驗 半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 1042 只測: 條件D(間歇功率) 23 穩(wěn)態(tài)功率試驗 半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 1042 只測: 條件C(穩(wěn)態(tài)功率) 2 二極管 1 反向漏電流 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 4016.4 只測: 0~100mA 半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 4016 只測: 0~100mA 2 反向擊穿電壓 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 4021.2 只測: 0~3.5kV 3 正向壓降 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 4011.4 只測: IS:0A~6000A 半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 4011 只測: IS:0A~6000A 4 浪涌電流 半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 4066 只測: If:0A~9000A 5 反向恢復電荷 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3473.1 只測: 1nC~100μC 反向恢復時間 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3473.1 只測: 10ns~2us 6 二極管反壓變化率 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3476 只測: VR:5V~3300V, IF:1A~1500A 7 單脈沖雪崩能量 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 4064 只測: L:0.01mH~159.9mH, IAS:0.1A~1500A 穩(wěn)態(tài)熱阻 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3136 只測: Ph:0.1W~80W 8 電容電荷 半導體器件 分立器件和集成電路 第2部分:整流二極管 IEC 60747-2:2016 6.1.8 只測: -3kV~3kV,0~1MHz 9 結電容 半導體器件 分立器件和集成電路 第2部分:整流二極管 IEC 60747-2:2016 6.1.8 只測: -3kV~3kV,0~1MHz
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西安長禾半導體技術有限公司功率器件測試實驗室(簡稱長禾實驗室)位于西安市高新技術經(jīng)濟開發(fā)區(qū),是一家*從事功率半導體器件測試服務的高新技術企業(yè),是*CNAS 認可實驗室,屬于*大功率器件測試服務中心。
長禾實驗室擁有*的系統(tǒng)設備、*的技術團隊和完善的服務體系。實驗室現(xiàn)有的測試儀器設備100余臺套,*測試人員20余名。我們緊跟國際國內(nèi)標準,以客戶需求為導向,不斷創(chuàng)新服務項目和檢測技術,借助便利的服務網(wǎng)絡,為合作伙伴提供高效的技術服務。
長禾實驗室專注于功率半導體器件的動、靜態(tài)參數(shù)檢測、可靠性檢測、失效分析、溫循試驗、熱阻測試等領域的技術服務。業(yè)務范圍主要涉及國內(nèi)軌道交通、風力發(fā)電、科研單位、軍工所、工業(yè)控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽車等行業(yè)。也是第三代半導體(寬禁帶半導體)應用解決方案服務商。
長禾實驗室秉承創(chuàng)新務實的經(jīng)營理念,為客戶提供的服務、完善的解決方案及全方位的技術支持;同時注重與行業(yè)企業(yè)、高校和科研所的合作與交流,測試技術與服務水平不斷提升。